Samsung: Exynos OCTA 7 с 14-нм технологией FinFET

Samsung расширяет линейку своих 64-битных процессоров, предложив чип Exynos OCTA 7, выполненный уже по технологии 14-нм техпроцесса FinFET. Новый суперпроцессор сначала, предположительно, будет устанавливаться в смартфон Galaxy S6 с маркировкой Exynos 7420.

Массовое производство процессоров собственной разработки по 14-нм техпроцессу FinFET компания Samsung Electronics уже начато. Об этом южнокорейский электронный гигант официально сообщил вчера, дополнив, что это будет вычислительный модуль с использованием передовых технологий процессов логики, большей мощности и с меньшим расходом энергии, предназначенный для смартфонов следующего поколения.

Также, Samsung уточняет, что в его первый процессор Exynos Octa 7, вероятно, появится под названием Exynos 7420 и будет установлен в совершенно новый телефон Galaxy S6, премьера которого состоится в ближайшее время. Вероятно, Galaxy S6 будет представлен в Барселоне на MWC 2015. По информации, исходящей от Samsung, достижение в процессорах уровня 14-нм технологии позволит увеличить на 20 процентов скорость обработки вычислительных задач и тратя при этом на 35 процентов меньше энергии, в сравнении с применяемым ранее 20-нанометровым технологическим процессом.

В новом 14-нм техпроцессе Samsung использует технологию трехмерной структуры транзисторов 3D-FinFET, разработанную международной группой своих научно-исследовательских и опытных лабораторий еще в начале 2000-х годов. В конце 2012 года Samsung представил первые образцы прототипов выполненных по 14 нм технологическому процессу технологии FinFET. Напомним, что Intel в мае 2011 года также представил 3D транзисторы Tri-Gate с размером элементов техпроцесса 22 нм для своих процессоров нового поколения серии Ivy Bridge.

Также, Samsung сообщает, что выпуск продукции с процессом 14-нм FinFET будет расширяться и в течение года чипы, работающие по новой технологии, появятся во многих очередных мобильных устройствах компании.